Parametrem opóźnienia określającym czas potrzebny do odczytania danych przez kontroler pamięci od momentu wysłania żądania jest

Poprawna odpowiedź to opcja A (CAS Latency (CL)). CAS Latency (Column Address Strobe Latency), oznaczane jako CL, to jeden z kluczowych parametrów czasowych (timingów) pamięci RAM. Określa on liczbę cykli zegara, jaka musi upłynąć od momentu wysłania przez kontroler pamięci żądania odczytu danych z określonej kolumny w module pamięci (CAS) do momentu, gdy pierwsze dane z tej kolumny stają się dostępne na wyjściu modułu pamięci. Niższa wartość CL oznacza mniejsze opóźnienie i potencjalnie wyższą wydajność pamięci przy tej samej częstotliwości taktowania.

Opcje B, C, i D są niepoprawne:

• B: RAS Precharge Time (tRP) to czas potrzebny na naładowanie (precharge) banku pamięci po zakończeniu operacji odczytu/zapisu, zanim będzie można aktywować nowy wiersz w tym samym banku.
• C: Command Rate (CR), często oznaczane jako 1T lub 2T (lub N), określa liczbę cykli zegara potrzebnych na wysłanie polecenia do modułu pamięci. Niższa wartość (np. 1T) jest lepsza.
• D: Serial Presence Detect (SPD) to mały układ pamięci EEPROM na module RAM, który przechowuje informacje o parametrach modułu (np. pojemność, prędkość, timingi). Te informacje są odczytywane przez BIOS/UEFI podczas startu komputera w celu automatycznej konfiguracji pamięci.